半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
11期
844-847,861
,共5页
马迎姿%檀柏梅%赵毅强%宋益伟%田雨
馬迎姿%檀柏梅%趙毅彊%宋益偉%田雨
마영자%단백매%조의강%송익위%전우
仪表放大器%角度传感器%共模抑制比%高带宽%折叠共源共栅
儀錶放大器%角度傳感器%共模抑製比%高帶寬%摺疊共源共柵
의표방대기%각도전감기%공모억제비%고대관%절첩공원공책
主要设计了一种用于角度传感器系统中的仪表放大器.为了满足角度传感器系统中对信号频率的要求,需要仪表放大器的带宽足够宽能够达到3.3 MHz.该电路采用标准三运算放大器结构电路,以折叠共源共栅结构的放大器为基础,对共模信号进行抑制,对差分信号进行放大,提高了放大器的精度,增大了仪表放大器的带宽.采用Chartered 0.35 μm CMOS双栅工艺对电路进行仿真和流片验证,测试结果表明:在0.8～2.85 V内,仪表放大器的共模抑制比达到了102 dB,带宽能够达到3.3 MHz,输出摆幅为1.7V,电路功能良好,达到了设计要求,该电路可用于汽车电子以及医疗设备系统.
主要設計瞭一種用于角度傳感器繫統中的儀錶放大器.為瞭滿足角度傳感器繫統中對信號頻率的要求,需要儀錶放大器的帶寬足夠寬能夠達到3.3 MHz.該電路採用標準三運算放大器結構電路,以摺疊共源共柵結構的放大器為基礎,對共模信號進行抑製,對差分信號進行放大,提高瞭放大器的精度,增大瞭儀錶放大器的帶寬.採用Chartered 0.35 μm CMOS雙柵工藝對電路進行倣真和流片驗證,測試結果錶明:在0.8～2.85 V內,儀錶放大器的共模抑製比達到瞭102 dB,帶寬能夠達到3.3 MHz,輸齣襬幅為1.7V,電路功能良好,達到瞭設計要求,該電路可用于汽車電子以及醫療設備繫統.
주요설계료일충용우각도전감기계통중적의표방대기.위료만족각도전감기계통중대신호빈솔적요구,수요의표방대기적대관족구관능구체도3.3 MHz.해전로채용표준삼운산방대기결구전로,이절첩공원공책결구적방대기위기출,대공모신호진행억제,대차분신호진행방대,제고료방대기적정도,증대료의표방대기적대관.채용Chartered 0.35 μm CMOS쌍책공예대전로진행방진화류편험증,측시결과표명:재0.8～2.85 V내,의표방대기적공모억제비체도료102 dB,대관능구체도3.3 MHz,수출파폭위1.7V,전로공능량호,체도료설계요구,해전로가용우기차전자이급의료설비계통.
