CAJ | 학술논문

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012 cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
보도료용분자속외연(MBE)방법생장적참잡InGaAs흡수층PIN InP/InGaAs/InP 쌍이질결외연재료,통과간법각식화습법부식상결합제작태면、류화화취선아알둔화、전겁생장등공예,제비료128×1태면정조사InGaAs탐측기진렬.측시료기건적변온I-V、향응광보화탐측솔,재278K시평균봉치탐측솔위1.03×1012 cmHz1/2W-1.실현료128원InGaAs탐측기진렬여CTIA결구L128독출전로상호련,경봉장후,재실온(291K)시성공측출128원향응신호.초평면향응적불균균성위18.3%,병대불균균성산생적원인진행료분석.