AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性
AlGaN/AlN/GaN결구중이유전자기적수운특성
The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 10期 6013-6018 ,共6页

    周忠堂%郭丽伟%邢志刚%丁国建%谭长林%吕力%刘建%刘新宇%贾海强%陈弘%周均铭

    주충당%곽려위%형지강%정국건%담장림%려력%류건%류신우%가해강%진홍%주균명

    AlGaN/AlN/GaN结构%二维电子气%Shubnikov-de Haas振荡%高电子迁移率晶体管 AlGaN/AlN/GaN結構%二維電子氣%Shubnikov-de Haas振盪%高電子遷移率晶體管
    AlGaN/AlN/GaN결구%이유전자기%Shubnikov-de Haas진탕%고전자천이솔정체관
    对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2 K时分别达到了1.4×104 cm2·V-1·s-1和9.3×1012 cm-2,且在200 K到2 K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2 K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23 ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
    대사용금속유궤물기상침적법생장적AlGaN/AlN/GaN결구진행적변온곽이측량,측량결과지출재AlN/GaN계면처유이유전자기존재차천이솔화농도재2 K시분별체도료1.4×104 cm2·V-1·s-1화9.3×1012 cm-2,차재200 K도2 K범위내이유전자기적농도기본불변,변자장곽이측량발현지유일충재류자(전자)삼여도전.재2 K온도하,관찰도양자곽이효응,Shubnikov-de Haas (SdH) 진탕재자장약위3T시출현,증명료차결구정현료전형적이유전자기행위.통과실험수거대이유전자기산사과정적반정량분석,추출양자산사시간위0.23 ps,비이왕보도적AlGaN/GaN결구중적산사시간장,설명인입AlN층가이유효감소합금산사,진일보적추단분석발현저온하이소각도산사점주도지위.
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