发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
5期
840-844
,共5页
邱冲%刘军林%郑畅达%姜乐%江风益
邱遲%劉軍林%鄭暢達%薑樂%江風益
구충%류군림%정창체%강악%강풍익
蓝光LED%GaN%硅衬底%SiN%钝化%光衰
藍光LED%GaN%硅襯底%SiN%鈍化%光衰
람광LED%GaN%규츤저%SiN%둔화%광쇠
利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响.实验发现:经过30 mA、85 ℃、24 h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响.
利用等離子輔助化學氣相沉積(PECVD)繫統在垂直結構Si襯底GaN基藍光LED芯片上生長瞭SiN鈍化膜,併對長有鈍化膜及未作鈍化處理的LED在不同條件下進行瞭老化實驗,首次研究瞭SiN鈍化膜對垂直結構Si襯底GaN基藍光LED可靠性的影響.實驗髮現:經過30 mA、85 ℃、24 h條件老化後,未作鈍化處理的Si襯底GaN基藍光LED的平均光衰為%,而長有SiN鈍化膜的LED平均光衰為6.06%,SiN鈍化膜有效地改善瞭LED在各種老化條件下的光衰,另外,SiN鈍化膜緩解瞭Si襯底GaN基藍光LED老化過程中反嚮電壓(Vr)的下降,但對老化後LED的抗靜電擊穿能力(ESD)沒有明顯的影響.
이용등리자보조화학기상침적(PECVD)계통재수직결구Si츤저GaN기람광LED심편상생장료SiN둔화막,병대장유둔화막급미작둔화처리적LED재불동조건하진행료노화실험,수차연구료SiN둔화막대수직결구Si츤저GaN기람광LED가고성적영향.실험발현:경과30 mA、85 ℃、24 h조건노화후,미작둔화처리적Si츤저GaN기람광LED적평균광쇠위%,이장유SiN둔화막적LED평균광쇠위6.06%,SiN둔화막유효지개선료LED재각충노화조건하적광쇠,령외,SiN둔화막완해료Si츤저GaN기람광LED노화과정중반향전압(Vr)적하강,단대노화후LED적항정전격천능력(ESD)몰유명현적영향.
