桂林工学院学报
桂林工學院學報
계림공학원학보
JOURNAL OF GUILIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2009年
1期
132-135
,共4页
龙芋宏%史铁林%熊良才%韦星%植海深%蒙永祥
龍芋宏%史鐵林%熊良纔%韋星%植海深%矇永祥
룡우굉%사철림%웅량재%위성%식해심%몽영상
激光%电化学%刻蚀%硅%不锈钢
激光%電化學%刻蝕%硅%不鏽鋼
격광%전화학%각식%규%불수강
为探讨半导体激光电化学刻蚀的工艺特性,采用808 nm半导体激光作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料.在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了激光电化学刻蚀硅的工艺特点.实验表明,808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,但不适合刻蚀半导体材料.
為探討半導體激光電化學刻蝕的工藝特性,採用808 nm半導體激光作為光源,聚焦激光照射浸于溶液中的暘極上,實現激光誘導電化學刻蝕材料.在實驗的基礎上,通過對金屬和半導體材料刻蝕的比較,分析瞭激光電化學刻蝕硅的工藝特點.實驗錶明,808 nm激光誘導電化學刻蝕工藝是一箇光熱刻蝕過程,但不適閤刻蝕半導體材料.
위탐토반도체격광전화학각식적공예특성,채용808 nm반도체격광작위광원,취초격광조사침우용액중적양겁상,실현격광유도전화학각식재료.재실험적기출상,통과대금속화반도체재료각식적비교,분석료격광전화학각식규적공예특점.실험표명,808 nm격광유도전화학각식공예시일개광열각식과정,단불괄합각식반도체재료.
