电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
3期
271-274
,共4页
李宜瑾%凌云%宋志棠%龚岳峰%罗胜钦%贾晓玲
李宜瑾%凌雲%宋誌棠%龔嶽峰%囉勝欽%賈曉玲
리의근%릉운%송지당%공악봉%라성흠%가효령
相变存储器%驱动二极管%串扰电流%TCAD
相變存儲器%驅動二極管%串擾電流%TCAD
상변존저기%구동이겁관%천우전류%TCAD
由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相变存储器中驱动管的不二之选.如果制备二极管的工艺参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准确性和长久的保持力.首先简要介绍了具有自主知识产权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的方法来减小驱动二极管之间的串扰电流.依据SMIC的工艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流.
由于二極管在單元呎吋上的優勢,被認為是高密度相變存儲器中驅動管的不二之選.如果製備二極管的工藝參數不恰噹,則大的漏電流會影響PCRAM存儲數據的準確性和長久的保持力.首先簡要介紹瞭具有自主知識產權的相變存儲器中驅動二極管陣列的製備方法,然後從載流子分佈以及半導體器件角度,分析瞭驅動二極管之間串擾電流的產生原因,最後,依據工藝流程介紹瞭一種簡單的方法來減小驅動二極管之間的串擾電流.依據SMIC的工藝進行TCAD倣真,結果錶明此種方法能夠在增大驅動電流的同時大大減小串擾電流.
유우이겁관재단원척촌상적우세,피인위시고밀도상변존저기중구동관적불이지선.여과제비이겁관적공예삼수불흡당,칙대적루전류회영향PCRAM존저수거적준학성화장구적보지력.수선간요개소료구유자주지식산권적상변존저기중구동이겁관진렬적제비방법,연후종재류자분포이급반도체기건각도,분석료구동이겁관지간천우전류적산생원인,최후,의거공예류정개소료일충간단적방법래감소구동이겁관지간적천우전류.의거SMIC적공예진행TCAD방진,결과표명차충방법능구재증대구동전류적동시대대감소천우전류.
