CAJ | 학술논문

详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法.窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料.特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ/hμ≈102),更容易受到少数载流子(电子)的干扰,因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移率n型材料和"弱p型"材料.通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试,并结合迁移率谱技术分析了两者的差别.结果表明,利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料.
상세분석료량류제력홍(HgCdTe)재료적자수운특성,병이차심조량류재료적유효사선방법.착금대HgCdTe시일충전자화공혈혼합도전적다재류자체계재료.특별시"약p형"재료,유우전자적천이솔비공혈적대량개수량급(b=μ/hμ≈102),경용역수도소수재류자(전자)적간우,인차통과단일자장적곽이측시무법구분성능흔차적저천이솔n형재료화"약p형"재료.통과변온변자장적곽이측시대량충제력홍재료적자수운특성진행료측시,병결합천이솔보기술분석료량자적차별.결과표명,이용천이솔보기술가이흔호지구분저량충제력홍재료.