人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
6期
1418-1422,1428
,共6页
娄有信%王继扬%张怀金%李强%严清峰%马朝晖%戴媛静
婁有信%王繼颺%張懷金%李彊%嚴清峰%馬朝暉%戴媛靜
루유신%왕계양%장부금%리강%엄청봉%마조휘%대원정
单晶铜%化学机械抛光%表面粗糙度
單晶銅%化學機械拋光%錶麵粗糙度
단정동%화학궤계포광%표면조조도
采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为φ15 mm×60 mm.采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm.
採用提拉法成功製備齣高純銅(Cu)單晶,最大呎吋為φ15 mm×60 mm.採用化學機械拋光(CMP)方法對Cu單晶基片進行拋光,藉助光學顯微鏡、錶麵輪廓儀和掃描探針顯微鏡分析瞭基片錶麵形貌、錶麵粗糙度與錶麵均勻性,併探討瞭拋光壓力、錶麵活性劑和拋光墊對基片錶麵拋光的影響,結果錶明:採用CMP加工後的銅單晶基片錶麵無宏觀劃痕、加工均勻性好,基片錶麵粗糙度Ra為0.921 nm.
채용제랍법성공제비출고순동(Cu)단정,최대척촌위φ15 mm×60 mm.채용화학궤계포광(CMP)방법대Cu단정기편진행포광,차조광학현미경、표면륜곽의화소묘탐침현미경분석료기편표면형모、표면조조도여표면균균성,병탐토료포광압력、표면활성제화포광점대기편표면포광적영향,결과표명:채용CMP가공후적동단정기편표면무굉관화흔、가공균균성호,기편표면조조도Ra위0.921 nm.
