半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
6期
460-463
,共4页
高渊%刘英坤%邓建国%梁东升%董军平
高淵%劉英坤%鄧建國%樑東升%董軍平
고연%류영곤%산건국%량동승%동군평
局部氧化隔离%化学机械抛光%反刻%抛光速率%选择比
跼部氧化隔離%化學機械拋光%反刻%拋光速率%選擇比
국부양화격리%화학궤계포광%반각%포광속솔%선택비
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面.研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1 psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌.通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用.
介紹瞭LOCOS隔離技術的原理,研究瞭應用于LOCOS工藝的反刻平坦化技術,通過調整刻蝕中反應氣體流量等工藝參數,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min條件下,穫得瞭較好的平坦化錶麵.研究瞭應用于LOCOS工藝的CMP平坦化技術,通過調整CMP壓力、轉速、流量等工藝參數,控製瞭拋光速率和精度,提高平坦化的均勻性,在工藝條件為壓力1 psi(1 psi=6.89×103 Pa),轉速25 r/min,流量120 mL/min時,穫得瞭良好的平坦化形貌.通過實驗對比髮現,CMP平坦化效果優于反刻平坦化,適閤于實際生產應用.
개소료LOCOS격리기술적원리,연구료응용우LOCOS공예적반각평탄화기술,통과조정각식중반응기체류량등공예삼수,재CHF3류량50 mL/min、O2류량2 mL/min조건하,획득료교호적평탄화표면.연구료응용우LOCOS공예적CMP평탄화기술,통과조정CMP압력、전속、류량등공예삼수,공제료포광속솔화정도,제고평탄화적균균성,재공예조건위압력1 psi(1 psi=6.89×103 Pa),전속25 r/min,류량120 mL/min시,획득료량호적평탄화형모.통과실험대비발현,CMP평탄화효과우우반각평탄화,괄합우실제생산응용.
