表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2007年
2期
21-23
,共3页
宿辉%王桂芳%栾风虎%胡胜鹏
宿輝%王桂芳%欒風虎%鬍勝鵬
숙휘%왕계방%란풍호%호성붕
(SiC)P%碳化硅复合粉体%表面改性%化学镀%热处理
(SiC)P%碳化硅複閤粉體%錶麵改性%化學鍍%熱處理
(SiC)P%탄화규복합분체%표면개성%화학도%열처리
为解决裸(SiC)P在应用中存在的不足,提出(SiC)P表面低成本化学改性的思路.采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对(SiC)P进行表面化学改性.确定了最佳的试验工艺,获得了镀层连续、无光滑(SiC)P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)P],通过SEM、EDS、XRD、TEM等测试,结果表明:改性后的(Ni/SiC)P较改性前的(SiC)P导电性有所提高,形貌、组成发生改变.同时分析了热处理对(Ni/SiC)P的影响,结果表明:随着温度的升高,(Ni/SiC)P表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态.
為解決裸(SiC)P在應用中存在的不足,提齣(SiC)P錶麵低成本化學改性的思路.採用簡單的化學鍍技術,改進氧化、親水、敏化和活化的前處理工藝,對(SiC)P進行錶麵化學改性.確定瞭最佳的試驗工藝,穫得瞭鍍層連續、無光滑(SiC)P裸露的較高質量的碳化硅複閤粉體[簡寫為(Ni/SiC)P],通過SEM、EDS、XRD、TEM等測試,結果錶明:改性後的(Ni/SiC)P較改性前的(SiC)P導電性有所提高,形貌、組成髮生改變.同時分析瞭熱處理對(Ni/SiC)P的影響,結果錶明:隨著溫度的升高,(Ni/SiC)P錶麵改性層中的鎳由非晶態轉化為晶態.
위해결라(SiC)P재응용중존재적불족,제출(SiC)P표면저성본화학개성적사로.채용간단적화학도기술,개진양화、친수、민화화활화적전처리공예,대(SiC)P진행표면화학개성.학정료최가적시험공예,획득료도층련속、무광활(SiC)P라로적교고질량적탄화규복합분체[간사위(Ni/SiC)P],통과SEM、EDS、XRD、TEM등측시,결과표명:개성후적(Ni/SiC)P교개성전적(SiC)P도전성유소제고,형모、조성발생개변.동시분석료열처리대(Ni/SiC)P적영향,결과표명:수착온도적승고,(Ni/SiC)P표면개성층중적얼유비정태전화위정태.
