微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
3期
340-343
,共4页
丁大胜%徐世六%王永禄%汤洁%李思颖
丁大勝%徐世六%王永祿%湯潔%李思穎
정대성%서세륙%왕영록%탕길%리사영
带隙基准源%分段曲率补偿%温度系数%电源抑制比
帶隙基準源%分段麯率補償%溫度繫數%電源抑製比
대극기준원%분단곡솔보상%온도계수%전원억제비
设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源.该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数.利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的电源抑制比(PSRR).在-55℃～125℃范围内,温度系数为2.9×10-6/℃,低频电源抑制比为-71 dB.
設計瞭一種針對基準電壓輸齣非線性的分段溫度補償電壓基準源.該電路在基準源工作的低溫和高溫階段對輸齣進行溫度補償,實現低溫度繫數.利用高增益的兩級運算放大器以及增加PMOS管的柵長來提高電路的電源抑製比(PSRR).在-55℃～125℃範圍內,溫度繫數為2.9×10-6/℃,低頻電源抑製比為-71 dB.
설계료일충침대기준전압수출비선성적분단온도보상전압기준원.해전로재기준원공작적저온화고온계단대수출진행온도보상,실현저온도계수.이용고증익적량급운산방대기이급증가PMOS관적책장래제고전로적전원억제비(PSRR).재-55℃～125℃범위내,온도계수위2.9×10-6/℃,저빈전원억제비위-71 dB.
