固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
4期
400-405
,共6页
槽栅结构%器件特性%热载流子退化%热载流子效应
槽柵結構%器件特性%熱載流子退化%熱載流子效應
조책결구%기건특성%열재류자퇴화%열재류자효응
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响.槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的,而此种结构对热载流子的敏感,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大.
應用二維器件倣真程序PISCES-Ⅱ,對槽柵結構和平麵結構器件的特性進行瞭模擬比較,討論瞭槽柵結構MOSFET的溝道電場特徵及其對熱載流子效應的影響.槽柵結構對抑製短溝道效應和抗熱載流子效應是十分有利的,而此種結構對熱載流子的敏感,使器件的亞閾值特性、輸齣特性變化較大.
응용이유기건방진정서PISCES-Ⅱ,대조책결구화평면결구기건적특성진행료모의비교,토론료조책결구MOSFET적구도전장특정급기대열재류자효응적영향.조책결구대억제단구도효응화항열재류자효응시십분유리적,이차충결구대열재류자적민감,사기건적아역치특성、수출특성변화교대.
