微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
3期
337-339,343
,共4页
张红%高炜祺%张正璠%张官兴
張紅%高煒祺%張正璠%張官興
장홍%고위기%장정번%장관흥
A/D转换器%逐次逼近%寄存器
A/D轉換器%逐次逼近%寄存器
A/D전환기%축차핍근%기존기
介绍了一种10位CMOS 逐次逼近型A/D转换器.在25 kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0～10 V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码.转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器.该转换器采用3 μm CMOS工艺制作,信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB.
介紹瞭一種10位CMOS 逐次逼近型A/D轉換器.在25 kSPS採樣頻率以下,根據模擬輸入耑輸入的0～10 V模擬信號,通過逐次逼近邏輯,將其轉化為10位無極性數字碼.轉換器的SAR寄存器結構採用瞭一種新的結構來實現D觸髮器.該轉換器採用3 μm CMOS工藝製作,信譟比為49 dB,積分非線性為±0.5 LSB.
개소료일충10위CMOS 축차핍근형A/D전환기.재25 kSPS채양빈솔이하,근거모의수입단수입적0～10 V모의신호,통과축차핍근라집,장기전화위10위무겁성수자마.전환기적SAR기존기결구채용료일충신적결구래실현D촉발기.해전환기채용3 μm CMOS공예제작,신조비위49 dB,적분비선성위±0.5 LSB.
