固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
49-53,68
,共6页
席占国%秦亚杰%苏彦锋%洪志良
席佔國%秦亞傑%囌彥鋒%洪誌良
석점국%진아걸%소언봉%홍지량
射频集成电路%混频器%上变频器%高线性度%发射器
射頻集成電路%混頻器%上變頻器%高線性度%髮射器
사빈집성전로%혼빈기%상변빈기%고선성도%발사기
介绍了采用0.35 μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路.该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850～1 910 MHz)发射器系统中.电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度.在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA.从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm.
介紹瞭採用0.35 μm CMOS工藝實現的單邊帶上變頻混頻電路.該混頻電路可用于低中頻直接混頻的PCS1900(1 850～1 910 MHz)髮射器繫統中.電路採用瞭multi-tanh線性化技術,可以得到較高的線性度.在單電源+3.3 V下,上混頻器電流約為6 mA.從上混頻電路輸齣級測得IIP3約8 dBm,IP1dB壓縮點約為0 dBm.
개소료채용0.35 μm CMOS공예실현적단변대상변빈혼빈전로.해혼빈전로가용우저중빈직접혼빈적PCS1900(1 850～1 910 MHz)발사기계통중.전로채용료multi-tanh선성화기술,가이득도교고적선성도.재단전원+3.3 V하,상혼빈기전류약위6 mA.종상혼빈전로수출급측득IIP3약8 dBm,IP1dB압축점약위0 dBm.
