半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
436-439
,共4页
潘少辉%何伦文%汪礼康%张卫
潘少輝%何倫文%汪禮康%張衛
반소휘%하륜문%왕례강%장위
横向双扩散金属氧化物%贴片工艺%有限元分析法%热阻
橫嚮雙擴散金屬氧化物%貼片工藝%有限元分析法%熱阻
횡향쌍확산금속양화물%첩편공예%유한원분석법%열조
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能.本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型.根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能.
功率MOS管的封裝貼片工藝會在貼片層中引入氣泡,從而嚴重降低器件的機械性能、熱性能和電學性能.本研究就VDMOS管D-PAK封裝模式,給齣瞭貼片工藝中氣泡的產生機製及其影響,併利用FEA方法建立瞭其D-PAK封裝的熱學模型.根據模擬結果,在貼片層中氣泡含量提高時,熱阻會急劇增大而降低器件的散熱性能.
공솔MOS관적봉장첩편공예회재첩편층중인입기포,종이엄중강저기건적궤계성능、열성능화전학성능.본연구취VDMOS관D-PAK봉장모식,급출료첩편공예중기포적산생궤제급기영향,병이용FEA방법건립료기D-PAK봉장적열학모형.근거모의결과,재첩편층중기포함량제고시,열조회급극증대이강저기건적산열성능.
