半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1125-1129
,共5页
VCSEL%等效电路模型%温度效应
VCSEL%等效電路模型%溫度效應
VCSEL%등효전로모형%온도효응
针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(Ⅴ-Ⅰ特性),通过引入温度控制的泄漏电流来模拟激光器的输出特性(L-I特性).模型的参数提取可以基于Tucker模型,并能方便地应用到HSPICE电路仿真软件中,通过对比可以发现,仿真结果和测试结果吻合得很好.
針對垂直腔麵髮射激光器提齣瞭一種改進的溫度模型.該模型建立在半導體激光器Tucker模型的基礎之上,通過令器件的寄生電阻和反嚮飽和電流受溫度控製,來模擬激光器的輸入特性(Ⅴ-Ⅰ特性),通過引入溫度控製的洩漏電流來模擬激光器的輸齣特性(L-I特性).模型的參數提取可以基于Tucker模型,併能方便地應用到HSPICE電路倣真軟件中,通過對比可以髮現,倣真結果和測試結果吻閤得很好.
침대수직강면발사격광기제출료일충개진적온도모형.해모형건립재반도체격광기Tucker모형적기출지상,통과령기건적기생전조화반향포화전류수온도공제,래모의격광기적수입특성(Ⅴ-Ⅰ특성),통과인입온도공제적설루전류래모의격광기적수출특성(L-I특성).모형적삼수제취가이기우Tucker모형,병능방편지응용도HSPICE전로방진연건중,통과대비가이발현,방진결과화측시결과문합득흔호.
