微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
12期
712-715
,共4页
戴新峰%郁元卫%贾世星%朱健%於晓峰%丁玉宁
戴新峰%鬱元衛%賈世星%硃健%於曉峰%丁玉寧
대신봉%욱원위%가세성%주건%어효봉%정옥저
Ka波段%Si基微机械%三维集成电路%宽带垂直过渡%热压键合
Ka波段%Si基微機械%三維集成電路%寬帶垂直過渡%熱壓鍵閤
Ka파단%Si기미궤계%삼유집성전로%관대수직과도%열압건합
介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1 mm厚的共面波导传输线通过0.3 mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现.这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应.运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品.在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0 GHz该过渡插入损耗小于3.5 dB,带内起伏小于2 dB.
介紹瞭一種適用于三維毫米波集成電路的Si基微機械垂直過渡,該垂直過渡是兩層0.1 mm厚的共麵波導傳輸線通過0.3 mm厚中間層,在中間層採用瞭同軸結構,該同軸結構通過金屬化通孔來實現.這一設計原理簡單,結構簡潔,便于優化設計,具有很寬的帶寬和平坦的幅度響應.運用三維電磁場倣真軟件對該垂直過渡結構進行瞭建模,併作瞭優化設計與倣真計算,運用微機械金屬化通孔工藝和多層鍵閤工藝研製瞭樣品.在片測試結果錶明該樣品性能良好,在26.5～34.0 GHz該過渡插入損耗小于3.5 dB,帶內起伏小于2 dB.
개소료일충괄용우삼유호미파집성전로적Si기미궤계수직과도,해수직과도시량층0.1 mm후적공면파도전수선통과0.3 mm후중간층,재중간층채용료동축결구,해동축결구통과금속화통공래실현.저일설계원리간단,결구간길,편우우화설계,구유흔관적대관화평탄적폭도향응.운용삼유전자장방진연건대해수직과도결구진행료건모,병작료우화설계여방진계산,운용미궤계금속화통공공예화다층건합공예연제료양품.재편측시결과표명해양품성능량호,재26.5～34.0 GHz해과도삽입손모소우3.5 dB,대내기복소우2 dB.
