半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
382-384,396
,共4页
互补金属氧化物半导体%压控振荡器%相位噪声%调谐宽度%滤波器
互補金屬氧化物半導體%壓控振盪器%相位譟聲%調諧寬度%濾波器
호보금속양화물반도체%압공진탕기%상위조성%조해관도%려파기
设计和分析了一种低电压CMOS压控振荡器,对设计的电路进行理论分析和模型建立,并使用仿真工具对电路进行验证和优化.设计中主要考虑相位噪声和调谐宽度等指标,通过采用电感电容滤波技术以及合理调整电路结构和元器件参数,使相位噪声和调谐宽度均达到了较高的性能指标.结果表明,在1.2 V工作电压下,设计的VCO的尾电流为3 mA,输出振荡频率为2.24～2.57 GHz,中心频率约为2.4 GHz,调谐范围达到13.7%.
設計和分析瞭一種低電壓CMOS壓控振盪器,對設計的電路進行理論分析和模型建立,併使用倣真工具對電路進行驗證和優化.設計中主要攷慮相位譟聲和調諧寬度等指標,通過採用電感電容濾波技術以及閤理調整電路結構和元器件參數,使相位譟聲和調諧寬度均達到瞭較高的性能指標.結果錶明,在1.2 V工作電壓下,設計的VCO的尾電流為3 mA,輸齣振盪頻率為2.24～2.57 GHz,中心頻率約為2.4 GHz,調諧範圍達到13.7%.
설계화분석료일충저전압CMOS압공진탕기,대설계적전로진행이론분석화모형건립,병사용방진공구대전로진행험증화우화.설계중주요고필상위조성화조해관도등지표,통과채용전감전용려파기술이급합리조정전로결구화원기건삼수,사상위조성화조해관도균체도료교고적성능지표.결과표명,재1.2 V공작전압하,설계적VCO적미전류위3 mA,수출진탕빈솔위2.24～2.57 GHz,중심빈솔약위2.4 GHz,조해범위체도13.7%.
