压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2012年
4期
605-608
,共4页
田力%陈姗%蒋马蹄%廉淑华%杨世江%唐世洪
田力%陳姍%蔣馬蹄%廉淑華%楊世江%唐世洪
전력%진산%장마제%렴숙화%양세강%당세홍
ZnO:Al(AZO)%磁控溅射法%ZnO缓冲层%Al2O3缓冲层%透明导电薄膜
ZnO:Al(AZO)%磁控濺射法%ZnO緩遲層%Al2O3緩遲層%透明導電薄膜
ZnO:Al(AZO)%자공천사법%ZnO완충층%Al2O3완충층%투명도전박막
采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9％,质量分数98‰ZnO、2‰Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2 O3掺杂的ZnO薄膜.研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO:Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响.并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响.结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30 min,负偏压为60 V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83‰～87‰,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω·cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4 Ω.cm(ZnO)和5.4×10-(1)Ω.cm(Al203).
採用射頻磁控濺射法,以純度為99.9％,質量分數98‰ZnO、2‰Al2O3陶瓷靶為濺射靶材,在預先沉積瞭ZnO和Al2O3的玻璃襯底上製備瞭Al2 O3摻雜的ZnO薄膜.研究併對比瞭兩種不同的緩遲層對ZnO:Al(AZO)薄膜的微觀結構和光電性能的影響.併藉助X線衍射(XRD)儀、掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外可見光譜儀(UV-Vis)等方法測試和分析瞭不同緩遲層,對AZO薄膜的形貌結構、光電學性能的影響.結果錶明:加入緩遲層後,在襯底溫度為200℃時,濺射30 min,負偏壓為60 V、在氮氣氣氛下經300℃退火處理後,製得薄膜的可見光透過率為83‰～87‰,AZO薄膜的最低電阻率,從9.2×10-4Ω·cm(玻璃)分彆下降到8.0×10-4 Ω.cm(ZnO)和5.4×10-(1)Ω.cm(Al203).
채용사빈자공천사법,이순도위99.9％,질량분수98‰ZnO、2‰Al2O3도자파위천사파재,재예선침적료ZnO화Al2O3적파리츤저상제비료Al2 O3참잡적ZnO박막.연구병대비료량충불동적완충층대ZnO:Al(AZO)박막적미관결구화광전성능적영향.병차조X선연사(XRD)의、소묘전자현미경(SEM)、자외가견광보의(UV-Vis)등방법측시화분석료불동완충층,대AZO박막적형모결구、광전학성능적영향.결과표명:가입완충층후,재츤저온도위200℃시,천사30 min,부편압위60 V、재담기기분하경300℃퇴화처리후,제득박막적가견광투과솔위83‰～87‰,AZO박막적최저전조솔,종9.2×10-4Ω·cm(파리)분별하강도8.0×10-4 Ω.cm(ZnO)화5.4×10-(1)Ω.cm(Al203).
