中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2004年
z1期
443-446
,共4页
半导体材料%光致发光%垂直堆垛的InAs量子点%分子束外延(MBE)
半導體材料%光緻髮光%垂直堆垛的InAs量子點%分子束外延(MBE)
반도체재료%광치발광%수직퇴타적InAs양자점%분자속외연(MBE)
垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提高垂直堆垛InAs量子点形貌均匀性.样品的外延结构是Si掺杂GaAs衬底生长500nm的过渡层,500nm的GaAs外延层,15nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,5个周期的InAs量子点生长后2单层GaAs的外延结构,50 nh的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,最后是15 m的GaAs覆盖层.外延结构中Al0.5Ga0.5As势垒外延层对镶嵌在里面的InAs量子点有很强的量子限制作用产生量子效应.PL测量系统使用514.5 nn的缸离子激发源.发现了量子点基态光致发光峰等距离向红外方向劈裂等新的物理现象.利用光致发光通过改变势垒的宽度和掺杂情况,研究了外延结构的光致发光特性,得到二维电子气(2DEG)随势能变化局域化加强等的新结果.
垂直堆跺InAs量子點是用分子束外延(MBE),通過Stranski-Krastanov(S-K)方式生長.利用光緻髮光(PL)實驗對InAs量子點進行瞭錶徵.在生長過程中使用對形狀呎吋控製的方式來提高垂直堆垛InAs量子點形貌均勻性.樣品的外延結構是Si摻雜GaAs襯底生長500nm的過渡層,500nm的GaAs外延層,15nm的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,5箇週期的InAs量子點生長後2單層GaAs的外延結構,50 nh的Al0.5Ga0.5As勢壘外延層,最後是15 m的GaAs覆蓋層.外延結構中Al0.5Ga0.5As勢壘外延層對鑲嵌在裏麵的InAs量子點有很彊的量子限製作用產生量子效應.PL測量繫統使用514.5 nn的缸離子激髮源.髮現瞭量子點基態光緻髮光峰等距離嚮紅外方嚮劈裂等新的物理現象.利用光緻髮光通過改變勢壘的寬度和摻雜情況,研究瞭外延結構的光緻髮光特性,得到二維電子氣(2DEG)隨勢能變化跼域化加彊等的新結果.
수직퇴타InAs양자점시용분자속외연(MBE),통과Stranski-Krastanov(S-K)방식생장.이용광치발광(PL)실험대InAs양자점진행료표정.재생장과정중사용대형상척촌공제적방식래제고수직퇴타InAs양자점형모균균성.양품적외연결구시Si참잡GaAs츤저생장500nm적과도층,500nm적GaAs외연층,15nm적Al0.5Ga0.5As세루외연층,5개주기적InAs양자점생장후2단층GaAs적외연결구,50 nh적Al0.5Ga0.5As세루외연층,최후시15 m적GaAs복개층.외연결구중Al0.5Ga0.5As세루외연층대양감재리면적InAs양자점유흔강적양자한제작용산생양자효응.PL측량계통사용514.5 nn적항리자격발원.발현료양자점기태광치발광봉등거리향홍외방향벽렬등신적물리현상.이용광치발광통과개변세루적관도화참잡정황,연구료외연결구적광치발광특성,득도이유전자기(2DEG)수세능변화국역화가강등적신결과.
