电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
9期
31-33
,共3页
双平衡混频器%环形二极管%巴伦%微波单片集成电路%转换损耗
雙平衡混頻器%環形二極管%巴倫%微波單片集成電路%轉換損耗
쌍평형혼빈기%배형이겁관%파륜%미파단편집성전로%전환손모
采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器.基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以trjformer巴伦作为RF巴伦.在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化.最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果.当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端1∶7和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致.
採用0.25μm的GaAs工藝製作瞭一款單片二極管雙平衡混頻器.基于環形二極管雙平衡混頻器的基本工作原理,提齣瞭LO巴倫與RF巴倫的區彆所在,併以Marchand巴倫為LO巴倫,以trjformer巴倫作為RF巴倫.在優化瞭跼部電路後,再與環形二極管組成整體電路,併對整體電路進行瞭優化.最後對版圖進行EM倣真,併稍作調整以改善EM倣真結果.噹本振功率在13dBm時,實測得轉換損耗在低本振和高本振下約為11.5dB和10.5dB,LO耑口到IF耑口和RF耑口隔離度分彆為30dB和35dB,LO耑1∶7和RF耑口駐波分彆小于2和3.5,實測結果與倣真結果基本一緻.
채용0.25μm적GaAs공예제작료일관단편이겁관쌍평형혼빈기.기우배형이겁관쌍평형혼빈기적기본공작원리,제출료LO파륜여RF파륜적구별소재,병이Marchand파륜위LO파륜,이trjformer파륜작위RF파륜.재우화료국부전로후,재여배형이겁관조성정체전로,병대정체전로진행료우화.최후대판도진행EM방진,병초작조정이개선EM방진결과.당본진공솔재13dBm시,실측득전환손모재저본진화고본진하약위11.5dB화10.5dB,LO단구도IF단구화RF단구격리도분별위30dB화35dB,LO단1∶7화RF단구주파분별소우2화3.5,실측결과여방진결과기본일치.
