半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
474-477
,共4页
许向前%毛伟%张越成%岳维山
許嚮前%毛偉%張越成%嶽維山
허향전%모위%장월성%악유산
p-i-n二极管%偏置电路%大功率%宽带%开关矩阵
p-i-n二極管%偏置電路%大功率%寬帶%開關矩陣
p-i-n이겁관%편치전로%대공솔%관대%개관구진
介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵.通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问题;采用宽带锥形电感和空心电感相结合的电路形式,设计了一种宽带的偏置电路;优化了开关矩阵电路的设计,简化了电路结构形式,提高了开关矩阵的微波性能和可生产性.设计实现了一种超宽带单路选通开关矩阵,工作频率为1～18 GHz,插入损耗(IL)＜5dB,端口隔离(Isolation)＞35dB.验证结果表明,理论仿真结果与实验测试结果基本一致,证明了设计方法的可行性.
介紹瞭一種採用p-i-n開關設計的單路選通開關矩陣.通過閤理設計p-i-n二極管的直流反偏電壓,解決瞭p-i-n開關矩陣承受功率的設計問題;採用寬帶錐形電感和空心電感相結閤的電路形式,設計瞭一種寬帶的偏置電路;優化瞭開關矩陣電路的設計,簡化瞭電路結構形式,提高瞭開關矩陣的微波性能和可生產性.設計實現瞭一種超寬帶單路選通開關矩陣,工作頻率為1～18 GHz,插入損耗(IL)＜5dB,耑口隔離(Isolation)＞35dB.驗證結果錶明,理論倣真結果與實驗測試結果基本一緻,證明瞭設計方法的可行性.
개소료일충채용p-i-n개관설계적단로선통개관구진.통과합리설계p-i-n이겁관적직류반편전압,해결료p-i-n개관구진승수공솔적설계문제;채용관대추형전감화공심전감상결합적전로형식,설계료일충관대적편치전로;우화료개관구진전로적설계,간화료전로결구형식,제고료개관구진적미파성능화가생산성.설계실현료일충초관대단로선통개관구진,공작빈솔위1～18 GHz,삽입손모(IL)＜5dB,단구격리(Isolation)＞35dB.험증결과표명,이론방진결과여실험측시결과기본일치,증명료설계방법적가행성.
