半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
463-465,482
,共4页
低功耗%轨至轨%互补型金属氧化物半导体%运算放大器%恒跨导
低功耗%軌至軌%互補型金屬氧化物半導體%運算放大器%恆跨導
저공모%궤지궤%호보형금속양화물반도체%운산방대기%항과도
设计了一个1.5 V低功耗轨至轨CMOS运算放大器.电路设计中为了使输入共模电压范围达到轨至轨性能,采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差动对输入结构,并采用成比例的电流镜技术实现了输入级跨导的恒定.在中间增益级设计中,采用了适合在低压工作的低压宽摆幅共源共栅结构;在输出级设计时,为了提高效率,采用了简单的推挽共源级放大器作为输出级,使得输出电压摆幅基本上达到了轨至轨.当接100pF电容负载和1 kΩ电阻负载时,运放的静态功耗只有290μW,直流开环增益约为76dB,相位裕度约为69°,单位增益带宽约为1 MHz.
設計瞭一箇1.5 V低功耗軌至軌CMOS運算放大器.電路設計中為瞭使輸入共模電壓範圍達到軌至軌性能,採用瞭NMOS管和PMOS管併聯的互補差動對輸入結構,併採用成比例的電流鏡技術實現瞭輸入級跨導的恆定.在中間增益級設計中,採用瞭適閤在低壓工作的低壓寬襬幅共源共柵結構;在輸齣級設計時,為瞭提高效率,採用瞭簡單的推輓共源級放大器作為輸齣級,使得輸齣電壓襬幅基本上達到瞭軌至軌.噹接100pF電容負載和1 kΩ電阻負載時,運放的靜態功耗隻有290μW,直流開環增益約為76dB,相位裕度約為69°,單位增益帶寬約為1 MHz.
설계료일개1.5 V저공모궤지궤CMOS운산방대기.전로설계중위료사수입공모전압범위체도궤지궤성능,채용료NMOS관화PMOS관병련적호보차동대수입결구,병채용성비례적전류경기술실현료수입급과도적항정.재중간증익급설계중,채용료괄합재저압공작적저압관파폭공원공책결구;재수출급설계시,위료제고효솔,채용료간단적추만공원급방대기작위수출급,사득수출전압파폭기본상체도료궤지궤.당접100pF전용부재화1 kΩ전조부재시,운방적정태공모지유290μW,직류개배증익약위76dB,상위유도약위69°,단위증익대관약위1 MHz.
