电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
1期
20-23
,共4页
杨小妮%傅刚%陈环%翟旺建%刘志宇
楊小妮%傅剛%陳環%翟旺建%劉誌宇
양소니%부강%진배%적왕건%류지우
ZnO%Nb2O5%压敏电阻%晶界势垒高度
ZnO%Nb2O5%壓敏電阻%晶界勢壘高度
ZnO%Nb2O5%압민전조%정계세루고도
通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响.结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能；当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10％时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV.
通過摻雜微量Nb2O5製備瞭ZnO壓敏電阻器,運用掃描電子顯微鏡(SEM)和電性能測試手段分析瞭Nb2O5摻雜對ZnO壓敏電阻器微觀結構和電性能的影響,測量瞭晶界勢壘高度φH,併探討瞭其對ZnO壓敏電阻器性能的影響.結果錶明:摻雜適量的Nb2O5可以明顯改善ZnO壓敏電阻器的微觀結構和電性能；噹Nb2O5的摻雜量為摩爾分數0.10％時,所製ZnO壓敏電阻器的晶粒呎吋最大,且壓敏電壓V1mA、非線性繫數α和φH值分彆為174V,30和0.463 eV.
통과참잡미량Nb2O5제비료ZnO압민전조기,운용소묘전자현미경(SEM)화전성능측시수단분석료Nb2O5참잡대ZnO압민전조기미관결구화전성능적영향,측량료정계세루고도φH,병탐토료기대ZnO압민전조기성능적영향.결과표명:참잡괄량적Nb2O5가이명현개선ZnO압민전조기적미관결구화전성능；당Nb2O5적참잡량위마이분수0.10％시,소제ZnO압민전조기적정립척촌최대,차압민전압V1mA、비선성계수α화φH치분별위174V,30화0.463 eV.
