稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2000年
5期
378-382
,共5页
郑安生%钱嘉裕%韩庆斌%邓志杰
鄭安生%錢嘉裕%韓慶斌%鄧誌傑
정안생%전가유%한경빈%산지걸
Ⅲ-Ⅴ族半导体%单晶生长%位错
Ⅲ-Ⅴ族半導體%單晶生長%位錯
Ⅲ-Ⅴ족반도체%단정생장%위착
介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.
介紹瞭Ⅲ-Ⅴ族化閤物單晶生長工藝包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的髮展現狀;欲生長大直徑、高質量單晶,仍鬚對熱傳輸和化學計量等問題進行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半導體單晶產量約 80t,產值約5億美元.
개소료Ⅲ-Ⅴ족화합물단정생장공예포괄 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 적발전현상;욕생장대직경、고질량단정,잉수대열전수화화학계량등문제진행심입연구.목전,전세계Ⅲ-Ⅴ족반도체단정산량약 80t,산치약5억미원.
