注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响
주담공예대SOI재료항복조성능적영향
Effect of Nitrogen Implantation Technologies on Total Dose Rad-Hardness of SIMON Materials
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 6期 1269-1272 ,共4页

    张恩霞%钱聪%张正选%王曦%张国强%李宁%郑中山%刘忠立

    장은하%전총%장정선%왕희%장국강%리저%정중산%류충립

    氧氮共注%SIMON%SOI%离子注入 氧氮共註%SIMON%SOI%離子註入
    양담공주%SIMON%SOI%리자주입
    分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.
    분별채용일보화분보주입적공예제비료양담공주형성SOI(SIMON)재료,병대퇴화후적재료진행료이차리자질보(SIMS)분석,결과발현퇴화지후담원자대다수취집재SiO2/Si계면처.위료분석재료적항복조가고효과,분별재불동방법제작적SIMON재료상제작료nMOS장효응정체관,병측시료정체관복사전후적전이특성.실험결과표명,주담공예대SOI재료적항복조성능유현저적영향.
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