物理学报
物理學報
물이학보
2006年
9期
4878-4882
,共5页
陈荣华%朱明原%李瑛%李文献%金红明%窦士学
陳榮華%硃明原%李瑛%李文獻%金紅明%竇士學
진영화%주명원%리영%리문헌%금홍명%두사학
MgB2%碳纳米管%脉冲磁场处理
MgB2%碳納米管%脈遲磁場處理
MgB2%탄납미관%맥충자장처리
对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究. 结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2-3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心.
對碳納米管(CNT)摻雜MgB2超導體磁場處理後的行為進行瞭研究. 結果錶明,CNT摻雜MgB2超導體經5T脈遲磁場處理後臨界電流密度Jc(H)在低磁場下提高瞭2-3倍,高場下提高一箇數量級以上,掃描電鏡結果顯示CNT沿著處理磁場方嚮規則排列併且成為MgB2基體的形覈中心和高效的磁通釘扎中心.
대탄납미관(CNT)참잡MgB2초도체자장처리후적행위진행료연구. 결과표명,CNT참잡MgB2초도체경5T맥충자장처리후림계전류밀도Jc(H)재저자장하제고료2-3배,고장하제고일개수량급이상,소묘전경결과현시CNT연착처리자장방향규칙배렬병차성위MgB2기체적형핵중심화고효적자통정찰중심.
