p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响
p/i계면참탄완충층침적시간대비정규태양전지성능적영향
Effects of Amorphous Silicon-carbide Buffer Layer at p/i Interface on the Performances of a-Si:H Solar Cells
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2007年 6期 1368-1371 ,共4页

    薛俊明%韩建超%张德坤%孙建%任慧志%管智贇%赵颖%耿新华

    설준명%한건초%장덕곤%손건%임혜지%관지빈%조영%경신화

    非晶硅%太阳电池%缓冲层%p/i界面 非晶硅%太暘電池%緩遲層%p/i界麵
    비정규%태양전지%완충층%p/i계면
    本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.
    본문연구료pin형비정규(a-Si)태양전지p/i계면참탄완충층(C-buffer layer)침적시간대전지효솔화은정성적영향.연구발현,수착참탄완충층침적시간적증가,태양전지적초시효솔유소증가,당침적시간증가도약60s시,전지적초시효솔체최대치,이후수착침적시간적계속증가,전지효솔하강.이재태양전지적은정성방면,당완충층침적시간소우50s시,수착침적시간적증가,전지쇠퇴솔증대;대우50s후,전지적쇠퇴솔우수침적시간적증대이감소.
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