湖南工业大学学报
湖南工業大學學報
호남공업대학학보
JOURNAL OF HUNAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2009年
2期
69-72
,共4页
张洪涛%许正望%李利荣%黄杰%王琰%宋玲
張洪濤%許正望%李利榮%黃傑%王琰%宋玲
장홍도%허정망%리리영%황걸%왕염%송령
纳米线MOSFET%单电子晶体管%I-V大电流%电子对
納米線MOSFET%單電子晶體管%I-V大電流%電子對
납미선MOSFET%단전자정체관%I-V대전류%전자대
在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室温下出现I-V高电流似单电子库仑阻塞特性.分析了这一现象产生的机理,提出了似单电子库仑阻塞模型,认为纳米线晶体中的结构发生变化,造成特殊的"岛",电子在耦合机制的作用下,形成类似的库伯电子对,在"岛"上实现似单电子隧穿.这时,库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子,这可造成充电能增大.在室温下隧穿.由于耦合电子对的出现,随栅压加大,使电子隧穿时,既可实现库仑阻塞,又使电流加大,室温下出现高电流台阶.
在實驗中觀察到納米線金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)室溫下齣現I-V高電流似單電子庫崙阻塞特性.分析瞭這一現象產生的機理,提齣瞭似單電子庫崙阻塞模型,認為納米線晶體中的結構髮生變化,造成特殊的"島",電子在耦閤機製的作用下,形成類似的庫伯電子對,在"島"上實現似單電子隧穿.這時,庫崙阻塞效應的機製由單電子變成成對的多電子,這可造成充電能增大.在室溫下隧穿.由于耦閤電子對的齣現,隨柵壓加大,使電子隧穿時,既可實現庫崙阻塞,又使電流加大,室溫下齣現高電流檯階.
재실험중관찰도납미선금양반장효정체관(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)실온하출현I-V고전류사단전자고륜조새특성.분석료저일현상산생적궤리,제출료사단전자고륜조새모형,인위납미선정체중적결구발생변화,조성특수적"도",전자재우합궤제적작용하,형성유사적고백전자대,재"도"상실현사단전자수천.저시,고륜조새효응적궤제유단전자변성성대적다전자,저가조성충전능증대.재실온하수천.유우우합전자대적출현,수책압가대,사전자수천시,기가실현고륜조새,우사전류가대,실온하출현고전류태계.
