科技通报
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과기통보
BULLETIN OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
1期
143-149
,共7页
徐峰%徐立新%陈枫%杨晋涛%钟明强
徐峰%徐立新%陳楓%楊晉濤%鐘明彊
서봉%서립신%진풍%양진도%종명강
介孔氧化硅MCM41%聚甲基丙烯酸甲酯%表面接枝%复合型聚合物电解质膜%离子电导率
介孔氧化硅MCM41%聚甲基丙烯痠甲酯%錶麵接枝%複閤型聚閤物電解質膜%離子電導率
개공양화규MCM41%취갑기병희산갑지%표면접지%복합형취합물전해질막%리자전도솔
通过表面引发原子转移自由基聚合技术(SI-ATRP)使聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)接枝于有序介孔氧化硅(MCM41)粒子的孔道内外表面,制得表面PMMA接枝的MCM41复合粒子(MCM41-g-PM-MA).进一步利用增塑剂碳酸丙烯酯(PC)与所得的MCM41-g-PMMA共同对PMMA基聚合物电解质膜进行改性,通过溶液浇铸工艺制得PMMA基复合型聚电解质膜.着重考察了MCM41-g-PMMA填充比例、MCM41表面PMMA接枝以及温度等因素对上述体系离子电导率的影响.红外光谱(FTIIR)、热重(TGA)、高倍透射电镜(HRTEM)、小角X射线衍射(SAXRD)分析结果表明:PMMA已成功接枝于MCM41粒子的孔道内外表面.交流阻抗测试、差示扫描量热分析(DSC)表明:较改性前的MCM41填充体系,MCM41-g-PMMA填充的PMMA膜具有更优的离子电导率,同时具有更佳的热稳定性能.
通過錶麵引髮原子轉移自由基聚閤技術(SI-ATRP)使聚甲基丙烯痠甲酯(PMMA)接枝于有序介孔氧化硅(MCM41)粒子的孔道內外錶麵,製得錶麵PMMA接枝的MCM41複閤粒子(MCM41-g-PM-MA).進一步利用增塑劑碳痠丙烯酯(PC)與所得的MCM41-g-PMMA共同對PMMA基聚閤物電解質膜進行改性,通過溶液澆鑄工藝製得PMMA基複閤型聚電解質膜.著重攷察瞭MCM41-g-PMMA填充比例、MCM41錶麵PMMA接枝以及溫度等因素對上述體繫離子電導率的影響.紅外光譜(FTIIR)、熱重(TGA)、高倍透射電鏡(HRTEM)、小角X射線衍射(SAXRD)分析結果錶明:PMMA已成功接枝于MCM41粒子的孔道內外錶麵.交流阻抗測試、差示掃描量熱分析(DSC)錶明:較改性前的MCM41填充體繫,MCM41-g-PMMA填充的PMMA膜具有更優的離子電導率,同時具有更佳的熱穩定性能.
통과표면인발원자전이자유기취합기술(SI-ATRP)사취갑기병희산갑지(PMMA)접지우유서개공양화규(MCM41)입자적공도내외표면,제득표면PMMA접지적MCM41복합입자(MCM41-g-PM-MA).진일보이용증소제탄산병희지(PC)여소득적MCM41-g-PMMA공동대PMMA기취합물전해질막진행개성,통과용액요주공예제득PMMA기복합형취전해질막.착중고찰료MCM41-g-PMMA전충비례、MCM41표면PMMA접지이급온도등인소대상술체계리자전도솔적영향.홍외광보(FTIIR)、열중(TGA)、고배투사전경(HRTEM)、소각X사선연사(SAXRD)분석결과표명:PMMA이성공접지우MCM41입자적공도내외표면.교류조항측시、차시소묘량열분석(DSC)표명:교개성전적MCM41전충체계,MCM41-g-PMMA전충적PMMA막구유경우적리자전도솔,동시구유경가적열은정성능.