激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2012年
1期
59-62
,共4页
尤虎%郭方敏%朱晟伟%越方禹%范梁%茅惠兵
尤虎%郭方敏%硃晟偉%越方禹%範樑%茅惠兵
우호%곽방민%주성위%월방우%범량%모혜병
量子点%量子效率%响应率%微光探测%CTIA读出
量子點%量子效率%響應率%微光探測%CTIA讀齣
양자점%양자효솔%향응솔%미광탐측%CTIA독출
GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4V时,测得响应电流8.9×10-9 A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90％.基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声.实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5V时,50 μm×50 μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107 V/W的电压响应率.
GaAs/InGaAs量子點光電探測器,在633 nm激光輻射3.5 nW條件下,器件偏壓-1.4V時,測得響應電流8.9×10-9 A,電流響應率達到2.54 A/W,量子註入效率超過90％.基于GaAs/InGaAs量子點光電探測器的高量子註入效率、高靈敏度等特點,採用具有穩定的電壓偏置,高註入效率和低譟聲特點的CTIA(電容互阻跨導放大器)作為列放大器讀齣結構,輸齣部分採用相關雙採樣(CDS)結構去除繫統和揹景譟聲.實驗結果錶明,在3.5 nW的微光輻射下,器件偏壓為-2.5V時,50 μm×50 μm像素探測器與讀齣電路互聯後有7.14×107 V/W的電壓響應率.
GaAs/InGaAs양자점광전탐측기,재633 nm격광복사3.5 nW조건하,기건편압-1.4V시,측득향응전류8.9×10-9 A,전류향응솔체도2.54 A/W,양자주입효솔초과90％.기우GaAs/InGaAs양자점광전탐측기적고양자주입효솔、고령민도등특점,채용구유은정적전압편치,고주입효솔화저조성특점적CTIA(전용호조과도방대기)작위렬방대기독출결구,수출부분채용상관쌍채양(CDS)결구거제계통화배경조성.실험결과표명,재3.5 nW적미광복사하,기건편압위-2.5V시,50 μm×50 μm상소탐측기여독출전로호련후유7.14×107 V/W적전압향응솔.
