微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2003年
1期
5-7
,共3页
高东岳%李莹%郭常厚%栾兰
高東嶽%李瑩%郭常厚%欒蘭
고동악%리형%곽상후%란란
等离子体%反应离子刻蚀%选择比
等離子體%反應離子刻蝕%選擇比
등리자체%반응리자각식%선택비
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.本文通过大量实验研究出了一种以CHF3和SF5作为主要进给气体,通过调节CHF3和SF6的流量来相应地控制等离子体中有效的F:C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率、两步法腐蚀引线孔的反应离子刻蚀工艺.
高選擇性的二氧化硅對單晶硅及多晶硅的榦法腐蝕工藝在半導體加工領域佔有重要地位.本文通過大量實驗研究齣瞭一種以CHF3和SF5作為主要進給氣體,通過調節CHF3和SF6的流量來相應地控製等離子體中有效的F:C比率從而實現較高的腐蝕選擇比或較高的腐蝕速率、兩步法腐蝕引線孔的反應離子刻蝕工藝.
고선택성적이양화규대단정규급다정규적간법부식공예재반도체가공영역점유중요지위.본문통과대량실험연구출료일충이CHF3화SF5작위주요진급기체,통과조절CHF3화SF6적류량래상응지공제등리자체중유효적F:C비솔종이실현교고적부식선택비혹교고적부식속솔、량보법부식인선공적반응리자각식공예.
