半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
5期
846-851
,共6页
王光伟%茹国平%张建民%曹继华%李炳宗
王光偉%茹國平%張建民%曹繼華%李炳宗
왕광위%여국평%장건민%조계화%리병종
SiGe薄膜%离子束溅射%炉退火%晶粒生长%半导体材料
SiGe薄膜%離子束濺射%爐退火%晶粒生長%半導體材料
SiGe박막%리자속천사%로퇴화%정립생장%반도체재료
分别在n-Si(100)和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜.用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15%～16%.对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响.采用X射线衍射确定薄膜物相.发现在同样退火条件下,SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度.通过曲线拟合,得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数.推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程.
分彆在n-Si(100)和SiO2襯底上用離子束濺射法澱積SiGe薄膜.用俄歇電子譜測定薄膜Ge含量為15%～16%.對樣品進行常規爐退火以攷察退火溫度和時間對薄膜結晶度的影響.採用X射線衍射確定薄膜物相.髮現在同樣退火條件下,SiGe在n-Si襯底上比SiO2上有更高的結晶度.通過麯線擬閤,得到平均晶粒呎吋與退火溫度和時間的依賴關繫分彆是自然指數和近線性的拋物線函數.推斷齣濺射SiGe薄膜的熱退火結晶可能是晶粒生長控製過程.
분별재n-Si(100)화SiO2츤저상용리자속천사법정적SiGe박막.용아헐전자보측정박막Ge함량위15%～16%.대양품진행상규로퇴화이고찰퇴화온도화시간대박막결정도적영향.채용X사선연사학정박막물상.발현재동양퇴화조건하,SiGe재n-Si츤저상비SiO2상유경고적결정도.통과곡선의합,득도평균정립척촌여퇴화온도화시간적의뢰관계분별시자연지수화근선성적포물선함수.추단출천사SiGe박막적열퇴화결정가능시정립생장공제과정.
