GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
GaN기HEMT기건적표면함정전하수운과정실험연구
An Experimental Investigation into Transportation Process of rapped Surface Charges of GaN-Based HEMT's
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2006年 6期 722-724,735 ,共4页

    罗谦%杜江锋%靳翀%龙飞%周伟%夏建新%杨谟华

    라겸%두강봉%근충%룡비%주위%하건신%양모화

    GaN%HEMT%电荷输运%表面态%电流崩塌 GaN%HEMT%電荷輸運%錶麵態%電流崩塌
    GaN%HEMT%전하수운%표면태%전류붕탑
    基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程.经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数.针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程.此结论可望用于对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究.
    기우특제적무태면AlGaN/GaN HEMT,설계료일충실험방법,용이연구AlGaN/GaN외연표면함정태간적전하수운과정.경실험증실,재기건전류붕탑효응중,존재표면함정전하수운,병학정료상관시간상수.침대응력후전류붕탑치예과정,실험감측도소우0.1 s화대우10 s량류시간상수,기중교대적상수대응우표면함정전하적수운과정.차결론가망용우대AlGaN/GaN HEMT전류붕탑효응진일보적이론탐색화상관적기건연구.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문