半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
8期
1391-1395
,共5页
赵有文%孙文荣%段满龙%董志远%杨子祥%吕旭如%王应利
趙有文%孫文榮%段滿龍%董誌遠%楊子祥%呂旭如%王應利
조유문%손문영%단만룡%동지원%양자상%려욱여%왕응리
砷化铟%掺杂%抛光
砷化銦%摻雜%拋光
신화인%참잡%포광
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
利用液封直拉法(LEC)生長瞭直徑50mm〈100〉和〈111〉晶嚮的InAs單晶.分析研究瞭n型雜質Sn,S和p型雜質Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、摻雜效率等.利用X射線雙晶衍射分析瞭晶體的完整性.對InAs晶片的拋光、化學腐蝕和清洗進行瞭分析,在此基礎上實現瞭拋光晶片的開盒即用(EPI-READY).
이용액봉직랍법(LEC)생장료직경50mm〈100〉화〈111〉정향적InAs단정.분석연구료n형잡질Sn,S화p형잡질Zn,Mn적분응특성、정격경화작용、참잡효솔등.이용X사선쌍정연사분석료정체적완정성.대InAs정편적포광、화학부식화청세진행료분석,재차기출상실현료포광정편적개합즉용(EPI-READY).
