中国粉体技术
中國粉體技術
중국분체기술
CHINA POWDER SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
4期
41-44,60
,共5页
杜玉成%颜晶%孟琪%李扬
杜玉成%顏晶%孟琪%李颺
두옥성%안정%맹기%리양
硅藻土%化学共沉淀%导电性能
硅藻土%化學共沉澱%導電性能
규조토%화학공침정%도전성능
采用化学共沉淀法制备硅藻土表面包覆锑掺杂二氧化锡导电粉体,并对制备工艺条件进行详细研究；采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜时样品进行表征,采用四探针仪测试样品导电性能.结果表明:最佳的制备工艺条件为:溶液温度40℃、反应时间1h、pH为1、Sn4+与Sb3+的物质的量比为8:1、包覆率为38％、700℃下煅烧1h.硅藻土表面形成厚度为30 nm左右的金红石结构的均匀包覆层,样品体积电阻率最低可达18 Ω.cm.
採用化學共沉澱法製備硅藻土錶麵包覆銻摻雜二氧化錫導電粉體,併對製備工藝條件進行詳細研究；採用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡時樣品進行錶徵,採用四探針儀測試樣品導電性能.結果錶明:最佳的製備工藝條件為:溶液溫度40℃、反應時間1h、pH為1、Sn4+與Sb3+的物質的量比為8:1、包覆率為38％、700℃下煅燒1h.硅藻土錶麵形成厚度為30 nm左右的金紅石結構的均勻包覆層,樣品體積電阻率最低可達18 Ω.cm.
채용화학공침정법제비규조토표면포복제참잡이양화석도전분체,병대제비공예조건진행상세연구；채용X사선연사、소묘전경、투사전경시양품진행표정,채용사탐침의측시양품도전성능.결과표명:최가적제비공예조건위:용액온도40℃、반응시간1h、pH위1、Sn4+여Sb3+적물질적량비위8:1、포복솔위38％、700℃하단소1h.규조토표면형성후도위30 nm좌우적금홍석결구적균균포복층,양품체적전조솔최저가체18 Ω.cm.
