微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
10期
559-567
,共9页
磷化锢%深能级%杂质%缺陷%退火%电学补偿%半绝缘%晶体
燐化錮%深能級%雜質%缺陷%退火%電學補償%半絕緣%晶體
린화고%심능급%잡질%결함%퇴화%전학보상%반절연%정체
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作.讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的方法在研究InP时的某些特点;综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关;分析了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响;评述了对InP中的一些深中心所取得的研究成果和半绝缘InP的形成机理.
綜述瞭近年來關于InP中深能級缺陷和雜質的研究工作.討論瞭深能級雜質及缺陷對InP材料性能的重要影響;介紹瞭深能級瞬態譜(DLTS)、光緻髮光譜(PL)、熱激電流譜(TSC)、正電子壽命譜(PAS)、正電子深能級瞬態譜(PDLTS)等幾種研究深中心的方法在研究InP時的某些特點;綜閤深能級缺陷和電學性質的測試結果,證明瞭半絕緣InP單晶材料的電學性能、熱穩定性、均勻性等與材料中一些深能級缺陷的含量密切相關;分析瞭對摻鐵和非摻退火兩種半絕緣InP材料中深能級缺陷對電學補償的影響;評述瞭對InP中的一些深中心所取得的研究成果和半絕緣InP的形成機理.
종술료근년래관우InP중심능급결함화잡질적연구공작.토론료심능급잡질급결함대InP재료성능적중요영향;개소료심능급순태보(DLTS)、광치발광보(PL)、열격전류보(TSC)、정전자수명보(PAS)、정전자심능급순태보(PDLTS)등궤충연구심중심적방법재연구InP시적모사특점;종합심능급결함화전학성질적측시결과,증명료반절연InP단정재료적전학성능、열은정성、균균성등여재료중일사심능급결함적함량밀절상관;분석료대참철화비참퇴화량충반절연InP재료중심능급결함대전학보상적영향;평술료대InP중적일사심중심소취득적연구성과화반절연InP적형성궤리.
