GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算
GaInAs/GaAs응변양자정능대결구적계산
Calculation of energy band structure of GaInAs/GaAs guantum well
  • 万方数据
    激光杂志 격광잡지
    LASER JOURNAL
    2004年 5期 29-31 ,共3页

    晏长岭%秦莉%宁永强%张淑敏%王青%赵路民%刘云%王立军%钟景昌

    안장령%진리%저영강%장숙민%왕청%조로민%류운%왕립군%종경창

    应变量子阱%量子化能级%跃迁%长波长%色散关系 應變量子阱%量子化能級%躍遷%長波長%色散關繫
    응변양자정%양자화능급%약천%장파장%색산관계
    讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系.由克龙尼克-潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级,给出了cl-hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较,基本一致.与此同时,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析,最后计算研究了应变量子阱中价带子能级及态密度的色散关系.
    토론료GaInAs/GaAs응변양자정결구적응변효응,급출료양자정층적림계후도수In조빈적변화관계.유극룡니극-반납모형계산료GaInAs/GaAs응변양자정적양자화능급,급출료cl-hhl약천대응적발사파장수정관화In조빈적변화관계곡선,병여실험측량적GaInAs/GaAs양자정적발사파장진행료비교,기본일치.여차동시,대GaInAs/GaAs응변양자정향장파장방향적발전야진행료계산분석,최후계산연구료응변양자정중개대자능급급태밀도적색산관계.
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