微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
2期
103-107,127
,共6页
磁传感器%巨磁阻抗%溶胶凝胶%LaMnOx薄膜%纵向磁场后退火%各向异性
磁傳感器%巨磁阻抗%溶膠凝膠%LaMnOx薄膜%縱嚮磁場後退火%各嚮異性
자전감기%거자조항%용효응효%LaMnOx박막%종향자장후퇴화%각향이성
采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比,其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著,经过10 Oe、400℃恒温1 h磁场后退火处理后,在频率5 MHz、100 Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%,相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍,其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe.同时,实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比,也会改变阻抗比极大值瑚对应的激励频率,这一现象目前仍在探究中.
採用溶膠凝膠法製備瞭LaMnOx(LMO)薄膜,繫統研究瞭不同燒結溫度、縱嚮直流磁場後退火和生長膜層數對LMO薄膜的巨磁阻抗效應的影響.結果錶明,燒結溫度、膜的層數以及縱嚮磁場後退火處理均有效提高瞭LMO的巨磁阻抗比,其中縱嚮直流磁場後退火處理提高薄膜阻抗比效果最顯著,經過10 Oe、400℃恆溫1 h磁場後退火處理後,在頻率5 MHz、100 Oe外磁場下其磁阻抗比達15.8%,相比未後處理樣品磁阻抗比提高瞭一倍,其對應的磁場靈敏度為0.16%/Oe.同時,實驗髮現磁場後退火不僅影響薄膜的巨磁阻抗比,也會改變阻抗比極大值瑚對應的激勵頻率,這一現象目前仍在探究中.
채용용효응효법제비료LaMnOx(LMO)박막,계통연구료불동소결온도、종향직류자장후퇴화화생장막층수대LMO박막적거자조항효응적영향.결과표명,소결온도、막적층수이급종향자장후퇴화처리균유효제고료LMO적거자조항비,기중종향직류자장후퇴화처리제고박막조항비효과최현저,경과10 Oe、400℃항온1 h자장후퇴화처리후,재빈솔5 MHz、100 Oe외자장하기자조항비체15.8%,상비미후처리양품자조항비제고료일배,기대응적자장령민도위0.16%/Oe.동시,실험발현자장후퇴화불부영향박막적거자조항비,야회개변조항비겁대치호대응적격려빈솔,저일현상목전잉재탐구중.
