光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2011年
9期
1342-1345
,共4页
王震东%赖珍荃%范定环%徐鹏
王震東%賴珍荃%範定環%徐鵬
왕진동%뢰진전%범정배%서붕
直流磁控溅射%Mo薄膜%高择优取向%电学性能
直流磁控濺射%Mo薄膜%高擇優取嚮%電學性能
직류자공천사%Mo박막%고택우취향%전학성능
使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的粗糙度随基片温度变化不明显,其值大约为0,35 nm,随溅射功率密度的增大而变大;电学性能方面:随着溅射功率密度的升高,薄膜导电性能迅速增强,电阻率呈现近似指数函数衰减;随着基底温度的升高,薄膜的电阻率先减小后增大,当基底温度为150℃时,薄膜电阻率降低至最小值2.02×10-5 Ω·cm.
使用直流磁控濺射法在玻璃基底上沉積Mo薄膜,採用X射線衍射儀、原子力顯微鏡和四探針測試繫統研究瞭濺射工藝對Mo薄膜的結構、形貌和電學性能的影響.結果錶明:噹基片溫度為150℃時,薄膜穫得(211)晶麵擇優取嚮生長,而在低于250℃的其它溫度條件下,樣品則錶現為(110)晶麵擇優取嚮生長.進一步的錶麵形貌分析顯示:薄膜的粗糙度隨基片溫度變化不明顯,其值大約為0,35 nm,隨濺射功率密度的增大而變大;電學性能方麵:隨著濺射功率密度的升高,薄膜導電性能迅速增彊,電阻率呈現近似指數函數衰減;隨著基底溫度的升高,薄膜的電阻率先減小後增大,噹基底溫度為150℃時,薄膜電阻率降低至最小值2.02×10-5 Ω·cm.
사용직류자공천사법재파리기저상침적Mo박막,채용X사선연사의、원자력현미경화사탐침측시계통연구료천사공예대Mo박막적결구、형모화전학성능적영향.결과표명:당기편온도위150℃시,박막획득(211)정면택우취향생장,이재저우250℃적기타온도조건하,양품칙표현위(110)정면택우취향생장.진일보적표면형모분석현시:박막적조조도수기편온도변화불명현,기치대약위0,35 nm,수천사공솔밀도적증대이변대;전학성능방면:수착천사공솔밀도적승고,박막도전성능신속증강,전조솔정현근사지수함수쇠감;수착기저온도적승고,박막적전조솔선감소후증대,당기저온도위150℃시,박막전조솔강저지최소치2.02×10-5 Ω·cm.
