固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
346-350,385
,共6页
肖胜安%刘鹏%季伟%王雷%陈帆%钱文生
肖勝安%劉鵬%季偉%王雷%陳帆%錢文生
초성안%류붕%계위%왕뢰%진범%전문생
锗硅双极-互补金属氧化物半导体%锗硅异质结双极晶体管
鍺硅雙極-互補金屬氧化物半導體%鍺硅異質結雙極晶體管
타규쌍겁-호보금속양화물반도체%타규이질결쌍겁정체관
研究了0.18 μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果.
研究瞭0.18 μm SiGe BiCMOS中的覈心器件SiGe HBT的關鍵製造工藝,包括集電極的形成、SiGe基區的澱積、髮射極窗口的形成、髮射極多晶的澱積、深孔刻蝕等,指齣瞭這些製造工藝的難點和問題,提齣瞭解決辦法,併報導瞭解決相關難題的實驗結果.
연구료0.18 μm SiGe BiCMOS중적핵심기건SiGe HBT적관건제조공예,포괄집전겁적형성、SiGe기구적정적、발사겁창구적형성、발사겁다정적정적、심공각식등,지출료저사제조공예적난점화문제,제출료해결판법,병보도료해결상관난제적실험결과.
