半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
2期
324-328
,共5页
戴振清%孙以材%潘国峰%孟凡斌%李国玉
戴振清%孫以材%潘國峰%孟凡斌%李國玉
대진청%손이재%반국봉%맹범빈%리국옥
磁控溅射%TiO2薄膜%氧敏特性%激活能
磁控濺射%TiO2薄膜%氧敏特性%激活能
자공천사%TiO2박막%양민특성%격활능
采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.
採用直流磁控濺射法製備TiO2薄膜,在不同溫度下對薄膜進行退火,研究瞭薄膜晶體結構隨退火溫度的轉化情況.對TiO2薄膜氧敏器件特性進行瞭測試,結果錶明,在400℃下靈敏度隨氧分壓增加最快,併且在400℃具有最高的靈敏度.得到的激活能為0.41eV,併對TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性進行瞭討論.
채용직류자공천사법제비TiO2박막,재불동온도하대박막진행퇴화,연구료박막정체결구수퇴화온도적전화정황.대TiO2박막양민기건특성진행료측시,결과표명,재400℃하령민도수양분압증가최쾌,병차재400℃구유최고적령민도.득도적격활능위0.41eV,병대TiO2박막양민기건적양민가역성진행료토론.
