低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究
저온제비규박막적정립척촌연구
Study on grain size of Silicon thin films fabricated at low temperature
  • 万方数据
    可再生能源 가재생능원
    RENEWABLE ENERGY
    2006年 6期 10-12 ,共3页

    张丽伟%张松青%卢景霄%杨仕娥%文书堂%杨根%郭学军%李瑞

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    硅薄膜%晶粒尺寸%再结晶 硅薄膜%晶粒呎吋%再結晶
    규박막%정립척촌%재결정
    利用等离子体增强(PECVD)法和快速热处理(RTP)法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸.
    이용등리자체증강(PECVD)법화쾌속열처리(RTP)법분별재파리츤저상제비료규박막.용광보측시의기,대2충방법제비적규박막진행료연구.결과현시,각충제비삼수대증대박막정립척촌존재일개최가점;총적래설,RTP법제비적정립척촌대우PECVD중제비적정립척촌.
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