半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
1期
41-44
,共4页
车红瑞%王海柱%杨建红%金璐
車紅瑞%王海柱%楊建紅%金璐
차홍서%왕해주%양건홍%금로
双极互补金属氧化物半导体%模拟电路%跨导运算放大器%流水线
雙極互補金屬氧化物半導體%模擬電路%跨導運算放大器%流水線
쌍겁호보금속양화물반도체%모의전로%과도운산방대기%류수선
基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器.该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中.电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现,由3.3 V单电源供电,经优化设计后,实现了2.1 GHz的单位增益带宽,直流开环增益61 dB,相位裕度50°,功耗16 mw,输出摆幅达到2 V;在2 pF的负载电容下,建立时间小于0.6 ns,转换速率1 200 V/μs.该放大器完全符合设计要求的性能指标.
基于全差分結構提齣一種高速BiCMOS運算跨導放大器.該放大器採用兩級放大結構實現,可用于8位250 Msps流水線結構模數轉換器的採樣/保持電路中.電路使用0.35μmBiCMOS工藝實現,由3.3 V單電源供電,經優化設計後,實現瞭2.1 GHz的單位增益帶寬,直流開環增益61 dB,相位裕度50°,功耗16 mw,輸齣襬幅達到2 V;在2 pF的負載電容下,建立時間小于0.6 ns,轉換速率1 200 V/μs.該放大器完全符閤設計要求的性能指標.
기우전차분결구제출일충고속BiCMOS운산과도방대기.해방대기채용량급방대결구실현,가용우8위250 Msps류수선결구모수전환기적채양/보지전로중.전로사용0.35μmBiCMOS공예실현,유3.3 V단전원공전,경우화설계후,실현료2.1 GHz적단위증익대관,직류개배증익61 dB,상위유도50°,공모16 mw,수출파폭체도2 V;재2 pF적부재전용하,건립시간소우0.6 ns,전환속솔1 200 V/μs.해방대기완전부합설계요구적성능지표.
