郑州大学学报（理学版）
鄭州大學學報（理學版）
정주대학학보（이학판）
JOURNAL OF ZHENGZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
4期
53-57
,共5页
类氢施主杂质%量子点%束缚激子%激子基态能%发光波长
類氫施主雜質%量子點%束縳激子%激子基態能%髮光波長
류경시주잡질%양자점%속박격자%격자기태능%발광파장
在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.
在攷慮內建電場效應和量子點(QD)的三維約束效應的情況下,運用變分方法研究瞭類氫施主雜質的位置對Ⅲ族氮化物量子點中束縳激子態的影響.結果錶明:噹類氫施主雜質位于量子點中心,InxGa1-xN/GaN量子點的高度和In含量大于臨界值時,約束在QD中激子的基態能降低,激子態的穩定性增彊,在較高的溫度下觀察到半導體量子點吸收譜中的激子峰,髮光波長增大.而類氫施主雜質總是使束縳在GaN/AlxGa1-xN量子點中激子的基態能降低,雜質可能使在更高溫度下觀察到GaN/AlxGa1-xN量子點中的激子,髮光波長增大.研究髮現類氫施主雜質位于量子點上界麵時,激子的基態能最小,繫統最穩定;隨著施主雜質下移,激子基態能增加,激子的解離溫度下降,髮光波長減小.
재고필내건전장효응화양자점(QD)적삼유약속효응적정황하,운용변분방법연구료류경시주잡질적위치대Ⅲ족담화물양자점중속박격자태적영향.결과표명:당류경시주잡질위우양자점중심,InxGa1-xN/GaN양자점적고도화In함량대우림계치시,약속재QD중격자적기태능강저,격자태적은정성증강,재교고적온도하관찰도반도체양자점흡수보중적격자봉,발광파장증대.이류경시주잡질총시사속박재GaN/AlxGa1-xN양자점중격자적기태능강저,잡질가능사재경고온도하관찰도GaN/AlxGa1-xN양자점중적격자,발광파장증대.연구발현류경시주잡질위우양자점상계면시,격자적기태능최소,계통최은정;수착시주잡질하이,격자기태능증가,격자적해리온도하강,발광파장감소.
