红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2012年
2期
95-98
,共4页
康冰心%李煜%白丕绩%刘会平%王博
康冰心%李煜%白丕績%劉會平%王博
강빙심%리욱%백비적%류회평%왕박
量子阱探测器焦平面%读出电路%电流镜积分
量子阱探測器焦平麵%讀齣電路%電流鏡積分
양자정탐측기초평면%독출전로%전류경적분
设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路.该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调.由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围；为提高读出电路的性能,电路加入撇除( Skimming)方式的暗电流抑制电路.采用特许半导体(Chartered) 0.35μm标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25 pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子；输出摆幅达到1.76 V;功耗为25mW;动态范围为75dB；测试结果显示CMI可应用于高性能FPA.
設計瞭一種偏壓可調電流鏡積分(Current Mirroring Integration,CMI)紅外量子阱探測器焦平麵CMOS讀齣電路.該電路適應根據偏壓調節響應波段的量子阱探測器,其中探測器偏壓從0.61 V到1.55V範圍內可調.由于CMI的電流反饋結構,使得輸入阻抗接近0,註入效率達0.99;且積分電容可放在單元電路外,從而可以在一定的單元麵積下,增大積分電容,提高瞭電荷處理能力和動態範圍；為提高讀齣電路的性能,電路加入撇除( Skimming)方式的暗電流抑製電路.採用特許半導體(Chartered) 0.35μm標準CMOS工藝對所設計的電路(16×1陣列)進行流片,測試結果錶明:在電源電壓為3.3V,積分電容為1.25 pF時,電荷處理能力達到1.3×107箇電子；輸齣襬幅達到1.76 V;功耗為25mW;動態範圍為75dB；測試結果顯示CMI可應用于高性能FPA.
설계료일충편압가조전류경적분(Current Mirroring Integration,CMI)홍외양자정탐측기초평면CMOS독출전로.해전로괄응근거편압조절향응파단적양자정탐측기,기중탐측기편압종0.61 V도1.55V범위내가조.유우CMI적전류반궤결구,사득수입조항접근0,주입효솔체0.99;차적분전용가방재단원전로외,종이가이재일정적단원면적하,증대적분전용,제고료전하처리능력화동태범위；위제고독출전로적성능,전로가입별제( Skimming)방식적암전류억제전로.채용특허반도체(Chartered) 0.35μm표준CMOS공예대소설계적전로(16×1진렬)진행류편,측시결과표명:재전원전압위3.3V,적분전용위1.25 pF시,전하처리능력체도1.3×107개전자；수출파폭체도1.76 V;공모위25mW;동태범위위75dB；측시결과현시CMI가응용우고성능FPA.
