半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
363-366
,共4页
高阳%廖广兰%谭先华%史铁林
高暘%廖廣蘭%譚先華%史鐵林
고양%료엄란%담선화%사철림
严格耦合波分析算法%光刻机%衍射干涉%干法刻蚀%亚微米
嚴格耦閤波分析算法%光刻機%衍射榦涉%榦法刻蝕%亞微米
엄격우합파분석산법%광각궤%연사간섭%간법각식%아미미
光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域.衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象.利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形.采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析；并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅；最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅.
光刻就是將掩模版上的圖形轉移到基底的過程,廣汎應用于微電子、微機械領域.衍射現象是光刻工藝無法避免的問題,噹掩模圖形呎吋接近光源波長時,就會產生衍射榦涉現象.利用這一現象,可以產生小于掩模圖形呎吋的圖形.採用嚴格耦閤波分析算法對光刻過程中的衍射榦涉做瞭倣真分析；併用karl suss MA6光刻機實現瞭基于掩模的榦涉光刻實驗,通過增加濾光片得到相榦光源,增彊光刻過程的衍射,形成衍射榦涉,掩模版透光區域和部分不透光區域下方的光刻膠得到曝光,利用微米呎度的光柵圖形,在光刻膠上產生亞微米的光柵；最後利用榦法刻蝕工藝,在硅基底上加工齣亞微米呎度光柵.
광각취시장엄모판상적도형전이도기저적과정,엄범응용우미전자、미궤계영역.연사현상시광각공예무법피면적문제,당엄모도형척촌접근광원파장시,취회산생연사간섭현상.이용저일현상,가이산생소우엄모도형척촌적도형.채용엄격우합파분석산법대광각과정중적연사간섭주료방진분석；병용karl suss MA6광각궤실현료기우엄모적간섭광각실험,통과증가려광편득도상간광원,증강광각과정적연사,형성연사간섭,엄모판투광구역화부분불투광구역하방적광각효득도폭광,이용미미척도적광책도형,재광각효상산생아미미적광책；최후이용간법각식공예,재규기저상가공출아미미척도광책.
