粘接
粘接
점접
2012年
5期
57-59
,共3页
杨建光%朱兴明%郭亚昆%李士学%高之香
楊建光%硃興明%郭亞昆%李士學%高之香
양건광%주흥명%곽아곤%리사학%고지향
超支化二氧化硅%氰酸酯树脂(CE)%固化反应动力学
超支化二氧化硅%氰痠酯樹脂(CE)%固化反應動力學
초지화이양화규%청산지수지(CE)%고화반응동역학
为了提高nano-SiO2在树脂基体中的分散性,采用一种超支化聚硅氧烷修饰的纳米二氧化硅( HBP-SiO,)改性氰酸酯(CE)树脂.利用非等温差示扫描量热法( DSC)研究了HBP-SiO2/CE电子封装材料的固化动力学,求得其固化工艺参数和固化动力学参数分别为:凝胶温度150.17℃,固化温度197.81℃,后处理温度258.97℃；表现活化能11.22 kJ/mol,反应级数0.75,频率因子18 342.84 s-1.研究表明,HBP-SiO2的加入可以降低CE的活化能,使其固化反应可以在较低温度下进行.
為瞭提高nano-SiO2在樹脂基體中的分散性,採用一種超支化聚硅氧烷脩飾的納米二氧化硅( HBP-SiO,)改性氰痠酯(CE)樹脂.利用非等溫差示掃描量熱法( DSC)研究瞭HBP-SiO2/CE電子封裝材料的固化動力學,求得其固化工藝參數和固化動力學參數分彆為:凝膠溫度150.17℃,固化溫度197.81℃,後處理溫度258.97℃；錶現活化能11.22 kJ/mol,反應級數0.75,頻率因子18 342.84 s-1.研究錶明,HBP-SiO2的加入可以降低CE的活化能,使其固化反應可以在較低溫度下進行.
위료제고nano-SiO2재수지기체중적분산성,채용일충초지화취규양완수식적납미이양화규( HBP-SiO,)개성청산지(CE)수지.이용비등온차시소묘량열법( DSC)연구료HBP-SiO2/CE전자봉장재료적고화동역학,구득기고화공예삼수화고화동역학삼수분별위:응효온도150.17℃,고화온도197.81℃,후처리온도258.97℃；표현활화능11.22 kJ/mol,반응급수0.75,빈솔인자18 342.84 s-1.연구표명,HBP-SiO2적가입가이강저CE적활화능,사기고화반응가이재교저온도하진행.
