真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
6期
399-402,433
,共5页
砷化镓%光电阴极%激活%变角X射线光电子能谱
砷化鎵%光電陰極%激活%變角X射線光電子能譜
신화가%광전음겁%격활%변각X사선광전자능보
用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成.界面氧化物是由于O原子穿过激活层,扩散到GaAs与(Cs,O)激活层的界而上而形成的.导入过量O会增加O-GaAs界面层的厚度,而对(Cs,O)激活层厚度影响较小.在激活过程中,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度,提高灵敏度的重要途径.在第一步激活后的阴极样品,通过较低温度的加热和再激活,能获得比第一步高出30%的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界而氧化层的厚度和界面势垒.
用變角X射線光電子能譜(XPS)技術分析瞭GaAs光電陰極的激活工藝,定量計算瞭陰極錶麵激活層和界麵氧化層的厚度和組成.界麵氧化物是由于O原子穿過激活層,擴散到GaAs與(Cs,O)激活層的界而上而形成的.導入過量O會增加O-GaAs界麵層的厚度,而對(Cs,O)激活層厚度影響較小.在激活過程中,嚴格控製和減少每次導入的O量是減少界麵氧化層厚度,提高靈敏度的重要途徑.在第一步激活後的陰極樣品,通過較低溫度的加熱和再激活,能穫得比第一步高齣30%的光電靈敏度的原因是較低溫度加熱減少瞭界而氧化層的厚度和界麵勢壘.
용변각X사선광전자능보(XPS)기술분석료GaAs광전음겁적격활공예,정량계산료음겁표면격활층화계면양화층적후도화조성.계면양화물시유우O원자천과격활층,확산도GaAs여(Cs,O)격활층적계이상이형성적.도입과량O회증가O-GaAs계면층적후도,이대(Cs,O)격활층후도영향교소.재격활과정중,엄격공제화감소매차도입적O량시감소계면양화층후도,제고령민도적중요도경.재제일보격활후적음겁양품,통과교저온도적가열화재격활,능획득비제일보고출30%적광전령민도적원인시교저온도가열감소료계이양화층적후도화계면세루.
