红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2005年
4期
245-249
,共5页
陈路%王元樟%巫艳%吴俊%于梅芳%乔怡敏%何力
陳路%王元樟%巫豔%吳俊%于梅芳%喬怡敏%何力
진로%왕원장%무염%오준%우매방%교이민%하력
分子束外延%碲化镉%硅基
分子束外延%碲化鎘%硅基
분자속외연%제화력%규기
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRD FWHM平均值为120 arc sec,最好达到100 arc sec,无(133)孪晶和其他多晶晶向.
報道瞭用MBE的方法,在3英吋Si襯底上製備ZnTe/CdTe(211)B複閤襯底材料的初步研究結果,該研究結果將能夠直接應用于大麵積Si基HgCdTe IRFPA材料的生長.經過Si(211)襯底低溫錶麵處理、ZnTe低溫成覈、高溫退火、高溫ZnTe、CdTe層的生長研究,用MBE方法成功地穫得瞭3英吋Si基ZnTe/CdTe(211)B複閤襯底材料.CdTe厚度大于10μm,XRD FWHM平均值為120 arc sec,最好達到100 arc sec,無(133)孿晶和其他多晶晶嚮.
보도료용MBE적방법,재3영촌Si츤저상제비ZnTe/CdTe(211)B복합츤저재료적초보연구결과,해연구결과장능구직접응용우대면적Si기HgCdTe IRFPA재료적생장.경과Si(211)츤저저온표면처리、ZnTe저온성핵、고온퇴화、고온ZnTe、CdTe층적생장연구,용MBE방법성공지획득료3영촌Si기ZnTe/CdTe(211)B복합츤저재료.CdTe후도대우10μm,XRD FWHM평균치위120 arc sec,최호체도100 arc sec,무(133)련정화기타다정정향.
